Flat Panel Detector သည် Modern Mentristian Iaging ၏လယ်ကွင်းတွင်သော့ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ကွဲပြားခြားနားသောပစ္စည်းများနှင့်လုပ်ငန်းဆောင်အခြေခံမူများအရ Flat Panel Detectors သည်အဓိကအားဖြင့် Commerel Detectors ကိုနှစ်မျိုးခွဲခြားထားသည်။
Amorphousel Selenium Flat Panel Detector
Amorphousel Selenium Flat Panel Detector သည်တိုက်ရိုက်ပြောင်းလဲခြင်းနည်းလမ်းကိုလက်ခံသည်, ၎င်း၏အခြေခံအစိတ်အပိုင်းများတွင် Collector Matrix, Selenium layer, dielectric layer နှင့်အကာအကွယ်အလွှာတစ်ခုပါဝင်သည်။ Collector Matrix သည်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင် Transistors (TFTS) ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဆယ်လီနီယမ်အလွှာသည် Amorphous Selenium Semiconductor ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး, ၎င်းသည် X-Rays များနှင့်အလွန်အမင်းထိခိုက်လွယ်ပြီးပုံရိပ် resolution စွမ်းရည်မြင့်မားသည်။
X-rays အဖြစ်အပျက်ဖြစ်သည့်အခါထိပ်တန်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကိုဗို့အားမြင့်မားသောလျှပ်စစ်ထောက်ပံ့မှုနှင့်ချိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသောလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကိုလျှပ်ကူးသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံသို့ချိတ်ဆက်ပြီး amorphous ဆယ်လီနီယမ်အလွှာသို့ရောက်ရှိသည်။ Amorphousel Selenium Layer သည် X-Rays များကိုသိုလှောင်သည့် capacitor တွင်သိုလှောင်ထားသည့်လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများသို့တိုက်ရိုက်ပြောင်းလဲသည်။ နောက်ပိုင်းတွင် Pulse Control Gate Circuit သည်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင် transistor ကိုလှည့်ပြီးသိုလှောင်ထားသည့်စွဲချက်ကိုအားသွင်းချဲ့စက်ကိုထုတ်ယူခြင်း, ဒီဂျစ်တယ် converter တစ်ခု၏ထပ်မံပြောင်းလဲခြင်းပြီးနောက်ဒစ်ဂျစ်တယ်ပုံရိပ်ကိုကွန်ပျူတာသို့ဖွဲ့စည်းပြီးကွန်ပျူတာထဲသို့ထည့်သွင်းထားပြီးဆရာဝန်များကတိုက်ရိုက်ရောဂါရှာဖွေရေးအတွက်မော်နီတာပေါ်သို့ပြန်လည်ပြုပြင်သည်။
Amorphous Silicon Flat Panel Detector
အာမင်စကစ်ခ်ျဆီလီကွန်ပြားပြားပြားပြားသည်သွယ်ဝိုက်ပြောင်းလဲခြင်းနည်းလမ်းကိုလက်ခံသည်, ၎င်း၏အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံမှာ scintillator ရုပ်ပစ္စည်းအလွှာတစ်ခု, Cesium Iodide သို့မဟုတ် Gadolinium Orodide ကဲ့သို့သော Scintillation ပစ္စည်းများသည် detector ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်တည်ရှိပြီး, လူ့ခန္ဓာကိုယ်ကိုမြင်နိုင်သော attenuated x-rays များကိုပြောင်းလဲခြင်းအတွက်တာ 0 န်ရှိသည်။ Scintillator SCINTILLOTER အောက်ရှိ Amorphous Silicon Photododiode ခင်းကျင်းသည်မြင်နိုင်သောအလင်းကိုလျှပ်စစ်ဆိုင်ရာအချက်ပြမှုများသို့ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် pixel တစ်ခုစီ၏သိမ်းဆည်းထားသောတာဝန်ခံသည်ဖြစ်ရပ် X-Ray ၏ပြင်းထန်မှုကိုအချိုးကျသည်။
ထိန်းချုပ်မှု circuit ၏လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင် pixel တစ်ခုစီ၏သိမ်းဆည်းထားသောစွဲချက်များကိုစကင်ဖတ်စစ်ဆေးပြီးဖတ်ပြီးဖတ်ပြီးတစ် ဦး / D ပြောင်းလဲခြင်းအပြီးတွင်ဒစ်ဂျစ်တယ်အချက်ပြမှုများသည် output ကိုထုတ်လုပ်ပြီး,
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရလျှင် Amorphous Selenium နှင့် Amorphous Silicon Panel Detectors များအကြားဖွဲ့စည်းမှုနှင့်လုပ်ဆောင်ခြင်းတွင်ကွဲပြားခြားနားမှုများမှာကွဲပြားခြားနားမှုများရှိသည်။
(ကိုးကားစရာအရင်းအမြစ်များ: https: //www.chongwuxguangjuangjuangji.com/info/muscle-3744.html)
Post Time: Dec-03-2024